- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016-90 (Fujitsu Limited) CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016-90 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 1,600（2米× 8）位閃存（1,600的CMOS（200萬(wàn)× 8）位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/46頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 520K |
| 代理商： | MBM29F016-90 |
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28
MBM29F016
-90/-12
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
Notes: 1.PA is address of the memory location to be programmed.
2.PD is data to be programmed at byte address.
3.DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4.D
OUT
is the output of the data written to the device.
5.Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
GHWL
t
WP
t
DF
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0 V
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
CS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
t
CE
WE
555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-12PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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