- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016-90 (Fujitsu Limited) CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 16M (2M x 8) Bit Flash Memory(CMOS 16M (2M x 8)位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 1,600（2米× 8）位閃存（1,600的CMOS（200萬(wàn)× 8）位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/46頁(yè) |
| 文件大小： | 520K |
| 代理商： | MBM29F016-90 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)當(dāng)前第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)
25
MBM29F016
-90/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
Notes: 1.This does not include the preprogramming time.
2.This timing is for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
–90
–12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Set Up Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Set Up Time
Min.
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Set Up Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle Bit I and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Set Up Time
Min.
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
sec
Max.
15
15
sec
—
t
VCS
V
CC
Set Up Time
Min.
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE Set Up Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Set Up Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
μ
s
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Min.
40
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-12PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。