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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-12PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-12PFTN |
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21
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
MAXIMUM OVERSHOOT
Figure 1 Maximum Negative Overshoot Waveform
+0.8 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
20 ns
20 ns
Figure 2 Maximum Positive Overshoot Waveform 1
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
20 ns
V
CC
+2.0 V
20 ns
20 ns
V
CC
+0.5 V
+13.0 V
20 ns
+14.0 V
20 ns
20 ns
Figure 3 Maximum Positive Overshoot Waveform 2
* : This waveform is applied for A
9
, OE, and RESET.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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