- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016A-12PFTN (FUJITSU LTD) 16M (2M X 8) BIT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-12PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 22/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-12PFTN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當(dāng)前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
22
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
DC CHARACTERISTICS
Notes:
1.The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 6 MHz). The frequency component typically is 2 mA/MHz, with OE at V
IH
.
2.I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
3.Applicable to sector protection function.
4.(V
ID
– V
CC
) do not exceed 9 V.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
±1.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
,
V
CC
= V
CC
Max.
—
±1.0
μ
A
I
LIT
A
9
, OE, RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
= V
CC
Max.
A
9
, OE, RESET = 12.5 V
—
50
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
40
mA
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
45
mA
I
CC3
V
CC
Current (Standby)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
IH
RESET = V
IH
—
1
mA
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
CC
±0.3 V,
RESET = V
CC
±0.3 V
—
5
μ
A
I
CC4
V
CC
Current (Standby, Reset)
V
CC
= V
CC
Max.
RESET = V
IL
—
1
mA
V
CC
= V
CC
Max.
RESET = V
SS
±0.3 V
—
5
μ
A
V
IL
Input Low Level
—
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Level
—
2.0
V
CC
+0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and Sector
Protection (A
9
, OE, RESET)
(Note 3, 4)
—
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 12.0 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min.
2.4
—
V
V
OH2
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
—
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。