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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F080 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 8M (1M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 800萬的CMOS（100萬× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓100萬× 8位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 13/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | MBM29F080 |
13
MBM29F080
-12-X
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note: Test Conditions: Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 20 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 0.45 V and 2.4 V
Output: 0.8 V and 2.0 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
-12-X
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
Max.
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
Max.
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE or OE,
Whichever Occurs First
—
Min.
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
μ
s
Figure 4 Test Conditions
Note: C
L
= 100 pF including jig capacitance
C
L
5.0 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F160BE-55PFTN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29F160BE-55PFTR | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29F160BE-55TN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29F160BE-55TR | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29F160BE-70PFTN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F080-90PFTN | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F080A | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
| MBM29F080A-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29F080A-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
| MBM29F080A-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 8M (1M x 8) BIT |
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