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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV002B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8）快閃記憶體（200萬的CMOS（256K × 8）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 32/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | MBM29LV002B |
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32
MBM29LV002T/MBM29LV002B
t
OEH
t
OE
t
WHWH1 or 2
CE
OE
WE
DQ
7
DQ
0
to
DQ
6
t
DF
t
CH
t
CE
DQ
7
DQ
Valid Data
DQ
0
to DQ
6
= Invalid
t
OE
High-Z
High-Z
DQ
to DQ
6
Valid Data
Figure 10 AC Waveforms for Data Polling during Embedded Algorithm Operations
* :DQ
7
= Valid Data (The device has completed the Embedded operation.)
t
OEH
CE
WE
OE
DQ
6
t
OE
Data
(DQ
0
to DQ
7
)
DQ
to DQ
7
Valid
DQ
6
= Toggle
DQ
=
Stop Toggle
DQ
6
= Toggle
t
OES
Figure 11 AC Waveforms for Toggle Bit I during Embedded Algorithm Operations
* :DQ
6
stops toggling (The device has completed the Embedded operation.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV002T | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV003T-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-10 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002T-10 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV002BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
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