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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV002B |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬的CMOS（256K × 8）快閃記憶體（200萬的CMOS（256K × 8）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 42/45頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | MBM29LV002B |
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42
MBM29LV002T/MBM29LV002B
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comment
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
15
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
3,600
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
21
T.B.D
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
1,000,000
—
Cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
T.B.D
T.B.D
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
T.B.D
T.B.D
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
T.B.D
T.B.D
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV002T | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV003T-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-10 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV002BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002BC-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
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