參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29LV002B
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 200萬(wàn)的CMOS（256K × 8）快閃記憶體（200萬(wàn)的CMOS（256K × 8）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 37/45頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： MBM29LV002B
37
MBM29LV002T/MBM29LV002B
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
5555H/10H
2AAAH/55H
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
2AAAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Start
Erasure Completed
Figure 18 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV002T CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV003T-12 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002B-10 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002B-12 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV002T-10 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV002BC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PNS 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
MBM29LV002BC-12PTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT
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