參數(shù)資料
型號: MBM29LV320BE90TR
廠商: FUJITSU LTD
元件分類: DRAM
英文描述: 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
封裝: PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
文件頁數(shù): 18/64頁
文件大小: 877K
代理商: MBM29LV320BE90TR
MBM29LV320TE/BE
80/90/10
18
(Continued)
Note : The address range is A
20
: A
-1
if in byte mode (BYTE
=
V
IL
) .
The address range is A
20
: A
0
if in word mode (BYTE
=
V
IH
) .
Sec-
tor
Sector Address
Sector
Size
(Kbytes/
Kwords)
(
×
8)
Address Range
(
×
16)
Address Range
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
SA4
0
0
0
0
0
0
1
0
0
X
8/4
008000h to 009FFFh
004000h to 004FFFh
SA3
0
0
0
0
0
0
0
1
1
X
8/4
006000h to 007FFFh
003000h to 003FFFh
SA2
0
0
0
0
0
0
0
1
0
X
8/4
004000h to 005FFFh
002000h to 002FFFh
SA1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
X
8/4
002000h to 003FFFh
001000h to 001FFFh
SA0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
8/4
000000h to 001FFFh
000000h to 000FFFh
相關PDF資料
PDF描述
MBM29LV400B-12 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400T-10 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400T-12 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400B-10 CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29LV400B CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV320TE 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10PBT 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE10TN 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
MBM29LV320TE10TR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT