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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV320BE90TR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 54/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 877K |
| 代理商： | MBM29LV320BE90TR |
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MBM29LV320TE/BE
80/90/10
54
2.
Embedded Erase
TM
Algorithm
555h/AAh
555h/80h
2AAh/55h
555h/AAh
555h/10h
2AAh/55h
555h/AAh
555h/80h
2AAh/55h
555h/AAh
Sector Address
/30h
Sector Address
/30h
Sector Address
/30h
2AAh/55h
Erasure Completed
Data
=
FFh
Data Polling
Write Erase
Command Sequence
(See Below)
Start
No
Yes
Embedded
Erase
Algorithm
in progress
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command)
:
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command)
:
Additional sector
erase commands
are optional.
Note : The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
EMBEDDED ALGORITHM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10TN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29LV320TE10TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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