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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV320BE90TR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 36/64頁 |
| 文件大小： | 877K |
| 代理商： | MBM29LV320BE90TR |
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MBM29LV320TE/BE
80/90/10
36
I
MAXIMUM OVERSHOOT/UNDERSHOOT
+
0.6 V
0.5 V
20 ns
2.0 V
20 ns
20 ns
Maximum Undershoot Waveform
V
CC
+
0.5 V
V
CC
+
2.0 V
+
2.0 V
20 ns
20 ns
20 ns
Maximum Overshoot Waveform 1
+
13.0 V
V
CC
+
0.5 V
+
14.0 V
20 ns
20 ns
20 ns
Note : This waveform is applied for A
9
, OE, and RESET.
Maximum Overshoot Waveform 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV320TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE10TN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29LV320TE10TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
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