參數(shù)資料
型號： MC68HC12BE32
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： 16-bit Microcontroller Units (MCUs)(16位微控制器)
中文描述： 16位微控制器單元（MCU）（16位微控制器）
文件頁數(shù)： 405/422頁
文件大?。?/td> 3775K
代理商： MC68HC12BE32
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Electrical Specifications
FLASH EEPROM Characteristics
MC68HC912B32 MC68HC12BE32 — Rev. 3.0
Advance Information
MOTOROLA
Electrical Specifications
405
18.12 FLASH EEPROM Characteristics
Use of an external circuit to condition V
FP
is recommended.
Figure 18-1
shows a simple circuit that maintains required voltages and filters
transients. V
FP
is pulled to V
DD
via Schottky diode D2. Application of
programming voltage via diode reverse-biases D2, protecting V
DD
from
excessive reverse current. D2 also protects the FLASH from damage
should programming voltage go to 0. Programming power supply
voltage must be adjusted to compensate for the forward-bias drop
across D1. The charge time constant of R1 and C1 filters transients,
whileR2providesadischargebleedpathtoC1.AllowforRCchargeand
discharge time constants when applying and removing power. When
using this circuit, keep leakage from external devices connected to the
V
FP
pin low, to minimize diode voltage drop.
Characteristic
(1)
1. V
DD
= 5.0 Vdc
±
10%, V
SS
= 0 Vdc, T
A
= T
L
to T
H
, unless otherwise noted
2. The number of margin pulses required is the same as the number of pulses used to program or erase.
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Program/erase supply voltage
Read only
Program/erase/verify
V
FP
V
DD
0.35
11.4
V
DD
12.0
V
DD
+
0.5
12.6
V
Program/erase supply current
Word program (V
FP
= 12 V)
Erase (V
FP
= 12 V)
I
FP
—
—
30
4
mA
Number of programming pulses
n
PP
—
—
50
Pulses
Programming pulse
t
PPULSE
20
—
25
μ
s
Program to verify time
t
VPROG
10
—
—
μ
s
Program margin
p
m
100
(2)
—
—
%
Number of erase pulses
n
EP
—
—
5
Pulses
Erase pulse
t
EPULSE
5
—
10
ms
Erase to verify time
t
VERASE
1
—
—
ms
Erase margin
e
m
100
(3)
—
—
%
Program/erase endurance
100
—
—
Cycles
Data retention
10
—
—
Years
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PDF描述
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MC68HC16Z1CAG20 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Microcontroller
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