參數(shù)資料
型號： MCHC908JK8CPE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 142/212頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20-DIP
標準包裝： 18
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI
外圍設備： LED，LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 15
程序存儲器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器： A/D 13x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 20-DIP（0.300"，7.62mm）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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FLASH Mass Erase Operation
MC68HC908JL8/JK8 MC68HC08JL8/JK8 MC68HC908KL8 Data Sheet, Rev. 3.1
Freescale Semiconductor
35
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tnvh (5s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, trcv (1s), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order as shown, but other unrelated operations
may occur between the steps.
2.9 FLASH Mass Erase Operation
Use the following procedure to erase the entire FLASH memory:
1.
Set both the ERASE bit and the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the FLASH memory address range.
4.
Wait for a time, tnvs (10s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time tmerase (4ms).
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tnvh1 (100s).
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After time, trcv (1s), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from the FLASH memory. While these operations
must be performed in the order as shown, but other unrelated operations
may occur between the steps.
2.10 FLASH Program Operation
Programming of the FLASH memory is done on a row basis. A row consists of 32 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX20, $XX40, $XX60, $XX80, $XXA0, $XXC0 or $XXE0. Use this
step-by-step procedure to program a row of FLASH memory:
(Figure 2-4 shows a flowchart of the programming algorithm.)
1.
Set the PGM bit. This configures the memory for program operation and enables the latching of
address and data for programming.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the address range of the row to be programmed.
4.
Wait for a time, tnvs (10s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tpgs (5s).
7.
Write data to the FLASH address to be programmed.
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