參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： MJD117
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
6.25
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current
V
CB
= 100 V
V
CB
= 80 V
V
CE
= 50 V
0.02
0.01
mA
mA
I
CEO
0.02
mA
I
CEX
V
CB
= 80 V V
BE
= -1.5V
V
CB
= 80 V V
BE
= -1.5V T
c
= 125
o
C
V
EB
= 5 V
0.01
0.5
mA
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Collector-Emitter
Saturation Voltage
2
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 30 mA
100
V
V
CE(sat)
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
I
C
= 4 A
I
B
= 8 mA
I
B
= 40 mA
I
B
= 40 mA
2
3
V
V
V
BE(sat)
Collector-Base
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
4
V
V
BE(on)
h
FE
I
C
= 2 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
2.8
V
DC Current Gain
500
1000
200
12000
Pulsed:Pulseduration = 300
μ
s,duty cycle
≤
2 %
Safe OperatingAreas
Derating Curve
MJD112/MJD117
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD117 PNP Silicon Darlington Transistor(PNP達(dá)林頓硅晶體管)
MJD200 Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJD210 Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJD29C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD29 NPN Epitaxial Silicon Transistor(NPN硅外延晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD117-001 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117-001G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail
MJD117-1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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