參數(shù)資料
型號： MJD117
廠商： 意法半導體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
中文描述： 互補硅功率達林頓晶體管（互補硅功率達林頓晶體管）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 84K
代理商： MJD117
DC Current Gain (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
Base-EmitterSaturation Voltage (NPN type)
DC Current Gain (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
Base-Emitter SaturationVoltage (PNP type)
MJD112/MJD117
3/6
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MJD117-001 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117-001G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail
MJD117-1G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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