參數(shù)資料
型號： MJD117
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
中文描述： 互補硅功率達林頓晶體管（互補硅功率達林頓晶體管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 84K
代理商： MJD117
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
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0.03
0.23
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B
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0.9
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0.035
B2
5.2
5.4
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0.212
C
0.45
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C2
0.48
0.6
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0.023
D
6
6.2
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0.244
E
6.4
6.6
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G
4.4
4.6
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H
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L2
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L4
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1
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=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL”A”
A
DETAIL”A”
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
MJD112/MJD117
5/6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJD117-001G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail
MJD117-1G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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