參數(shù)資料
型號： MJD200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： MJD200
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
10
89.3
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
I
C
= 10 mA
25
V
I
CBO
V
CB
= 40 V
V
CB
= 40 V T
J
= 125
o
C
0.1
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
= 8 V
0.1
V
CE(sat)
I
C
= 500 mA I
B
= 50 mA
I
C
= 2 A I
B
= 200 mA
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
I
C
= 5 A I
B
= 1 A
0.3
0.75
1.8
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter On
Voltage
Transition Frequency
2.5
V
V
BE(on)
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
1.6
V
f
T
I
C
= 100 mA V
CE
= 10 V
f = 10 MHz
I
C
= 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
I
C
= 5 A V
CE
= 2 V
65
MHz
h
FE
DC Current Gain
70
45
10
180
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
MJD200 / MJD210
2/4
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJD200G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
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