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參數資料
| 型號： | MJD200 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | MJD200 |
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL "A"
A
DETAIL "A"
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
MJD200 / MJD210
3/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD210 | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| MJD29C | General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
| MJD29 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(NPN硅外延晶體管) |
| MJD31B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJD31C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJD200_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
| MJD200_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
| MJD200-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS |
| MJD200G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR |
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