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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16204AS |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 437K |
| 代理商： | MJE16204AS |
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2–15
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
30
325
BUV23
8 min
16
1.8
0.4
16
8
250
400/1000
BUS98
8 min
20
2.3
0.4
20
250
BUX98
8 min
20
3
0.8
20
250
450/850
MJ16020(16)
5 min
30
1.8
0.2
20
250
MJ16022(16)
7 min
30
1.5
0.15
20
250
450/1000
BUS98A
8 min
16
2.3
0.4
16
250
BUX98A
8 min
16
3
0.8
16
250
40
200
BUV21 (16)
10 min
25
1.8
0.4
25
8
150
250
BUV22 (16)
10 min
20
1.1
0.35
20
8
250
350
MJ10022 (2)(16)
50/600
10
2.5
0.9
20
250
400
MJ10023 (2)(16)
50/600
10
2.5
0.9
20
250
50
60
2N5685 (16)
15/60
25
0.5 typ
0.3 typ
25
2
300
80
2N5686 (16)
2N5684 (16)
15/60
25
0.5 typ
0.3 typ
25
2
300
90
MJ11030 (2)(16)
MJ11031 (2)(16)
400 min
50
300
100
2N6274 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
120
2N6275 (16)
2N6379 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
MJ11032 (2)(16)
MJ11033 (2)(16)
400 min
50
300
125
BUV20 (16)
10 min
50
1.2
0.25
50
8
250
BUV60 (16)
10 min
80
1.1
0.25
80
250
150
2N6277 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
400
MJ10015 (2)(16)
10 min
40
2.5
1
20
250
500
BUT34 (2)(16)
15 min
32
3
1.5
32
250
MJ10016 (2)(16)
10 min
40
2.5
1
20
250
56
400
BUT33 (2)(16)
20 min
36
3.3
1.6
36
250
60
MJ14001(16)
15/100
50
300
80
MJ14002 (16)
MJ14003 (16)
15/100
50
300
200
MJ10020 (2)(16)
75 min
15
3.5
0.5
30
250
MJ10021 (2)(16)
75 min
15
3.5
0.5
30
250
70
125
BUS50 (16)
15 min
50
1.5
0.3
70
350
80
100
BUV18A (16)
10 min
80
1.1
0.25
80
250
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(16)Case 197A–03 (TO–204AE)
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16204BV | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BS | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BC | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AU | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AF | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
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