- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98017 > MJE16204AS (ON SEMICONDUCTOR) 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE16204AS |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 437K |
| 代理商： | MJE16204AS |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
MJE16204
3–816
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.2
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
BE
,BASE–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Typical Collector–Emitter
Saturation Region
IB, BASE CURRENT (AMPS)
0.7
0.1
0.03
0.3
6 A
0.05
1
2
2 A
3 A
IC = 1 A
0.03
0.07 0.1
0.7
0.2
0.5
30
5
10
Figure 4. Typical Base–Emitter
Saturation Voltage
0.3
30
0.5
5
0.7
0.1
0.7
20
110
10
2
TJ = 25°C
23
5
7
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
TJ = 100°C
0.3
Figure 5. Typical Capacitance
10K
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.1
1K
100
10
1
10
100
1K
2K
200
20
3K
300
5K
500
50
0.3
2
30
300
20
0.5
5
50
500
f T
,TRANSITION
FREQUENCY
(MHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Typical Transition Frequency
VCE = 10 V
ftest = 1 MHz
TC = 25°C
0
0.5
1
1.5
2
3
2.5
20
8
2
14
0
6
16
12
0.5
0.07
0.2
0.05
20
3
7
2
1
3
IC/IB1 = 5 to 10
7
1
3
0.5
30
0.2
3
200
TC = 25°C
10
4
18
Cob
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Maximum Forward Biased
Safe Operating Area
7
3
10
1
0.02
70
SECONDARY BREAKDOWN
WIREBOND LIMIT
THERMAL LIMIT
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMPS)
0.1
7
20
250
3
0.3
0.2
dc
TC = 25°C
1ms
10
s
2
5
0.5
50
7
0
150
550
IC/IB1 ≥ 5
TJ ≤ 100°C
VBE(off) = 5 V
50
VCE(pk), PEAK COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
350
VBE(off) = 0 V
Figure 8. Maximum Reverse Biased
Safe Operating Area
3
5
2
1
250
450
0.03
0.07
0.05
0.01
0.7
100
5
10
200
30
MJE16204
6
4
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16204BV | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BS | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BC | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AU | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AF | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。