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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16204AS |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 45/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 437K |
| 代理商： | MJE16204AS |
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MJE16204
3–818
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
+24 V
C1
100
F
+
U2
MC7812
VI
VO
G
N
D
C2
10
F
+
Q2
MJ11016
(IB)
R1
1 k
6.2 V
100 V
C3
10
F
+
R7
2.7 k
R8
9.1 k
R9
470
R10
47
C5
0.1
C4
0.005
(DC)
R2
R510
R3
250
SYNC
Q1
BS170
R6
1 k
2
1
8
76
G
N
D
O
S
C
VCC
%
OUT
R10
470
1 W
Q3
MJE
15031
R12
470
1 W
D1
MUR110
T1
R4
22
LB
D2
MUR460
CY
VCE
Q4
DUT
LY
C6
100
F
R5
1 k
(IC)
Q5
MJ11016
+
T1: Ferroxcube Pot Core #1811 P3C8
Primary/Sec. Turns Ratio = 18:6
Primary Inductance Gap:
LP = 250 H
LB = 0.5
H
CY = 0.01
F
LY = 13
H
U1
MC1391P
Table 2. High Resolution Deflection Application Simulator
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 10. Typical Collector Current Storage
Time in Deflection Circuit Simulator
t s
,ST
ORAGE
TIME
(ns)
2K
700
200
300
ICI/B1 = 7.5
500
1K
12
7
5
3
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. Typical Collector Current Fall Time
in Deflection Circuit Simulator
t f
,F
ALL
TIME
(ns)
100
20
50
200
23
5
7
110
30
70
TC = 25°C
ICI/B1 = 7.5
10
TC = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16204BV | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BS | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BC | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AU | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AF | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
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