參數(shù)資料
型號(hào)： MJE200
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 42K
代理商： MJE200
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
M
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE
=1V
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
f=0.1MHZ
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
1
10
100
0.1
1
10
100
100
μ
s
500
μ
s
5ms
1ms
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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MJE200STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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