參數(shù)資料
型號(hào): MJE200
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 42K
代理商: MJE200
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
M
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE200 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJE200 5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS
MJE3440 SILICON NPN TRANSISTOR
MJE350 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
MJE700 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE200_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE-20A 制造商:TALEMA 制造商全稱(chēng):TALEMA 功能描述:T1/E1/CEPT/ISDN-PRI SMD Transformers