參數(shù)資料
型號(hào)： MPSH81
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP RF Transistor
中文描述： VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 721K
代理商： MPSH81
3
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE(
on
)
Base-Emitter On Voltage
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
EB
= 2.0 V, I
C
= 0
20
20
3.0
V
V
V
nA
nA
100
100
I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 5.0 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V
60
0.5
0.9
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
CB
= 10 V, I
B
= 0, f = 1.0 MHz
600
MHz
C
cb
C
ce
Collector-Base Capacitance
Collector Emitter Capcitance
0.85
0.65
pF
pF
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
NOTE:
All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.
Typical Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
PNP RF Transistor
(continued)
M
PNP(Is=10f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=133.8 Ise=1.678p Ne=2.159 Ikf=.1658 Nk=.901 Xtb=1.5 Var=100 Br=1
Isc=9.519n Nc=3.88 Ikr=5.813 Rc=7.838 Cjc=2.81p Mjc=.1615 Vjc=.8282 Fc=.5 Cje=2.695p Mje=.3214 Vje=.7026
Tr=11.32n Tf=97.83p Itf=69.29 Xtf=599u Vtf=10)
Spice Model
DC Current Gain vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
V = 1.0V
-
-
-
-
T = 125°C
T = 25°C
T = 55°C
Collector Saturation Voltage
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
T = 55
°
C
T = 25
°
C
T = 125
°
C
I = 10 I
B
-
C
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