型號: | MPSH81 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | PNP RF Transistor |
中文描述: | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | LEAD FREE PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 6/11頁 |
文件大?。?/td> | 721K |
代理商: | MPSH81 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MPSW3725 | NPN Transistor |
MPSW56 | PNP General Purpose Amplifier |
MPSW56 | One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon) |
MPSW56 | One Watt Amplifier Transistors |
MPT2N18 | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MPSH81 D26Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R |
MPSH81/D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
MPSH81_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
MPSH81_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
MPSH81_D75Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |