參數(shù)資料
型號(hào): MPSH81
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: PNP RF Transistor
中文描述: VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 3/11頁(yè)
文件大小: 721K
代理商: MPSH81
M
Typical Characteristics
(continued)
PNP RF Transistor
(continued)
Input / Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
-10
-8
-6
-4
-2
0
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
C
ibo
f = 1.0 MHz
C
obo
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f )
0.1
1
10
100
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
-
-
-
200 MHz
500 MHz
900 MHz
200 MHz
500 MHz
1200 MHz
1500 MHz
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
D
SOT-23
TO-92
Base-Emitter ON Voltage
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 10V
-
-
-
-
A
T = 25
°
C
T = 100
°
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
-
-
-
-
T = 55
°
C
T = 25
°
C
T = 125
°
C
I = 10 I
B
Collector Reverse Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
I
C
V = -6.0V
V = -3.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW3725 NPN Transistor
MPSW56 PNP General Purpose Amplifier
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSH81 D26Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R
MPSH81/D75Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
MPSH81_D26Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH81_D27Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH81_D75Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel