參數(shù)資料
型號： MPSW3725
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Transistor
中文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MPSW3725
M
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
40
V
I
C
= 10
μ
A, V
BE
= 0
60
V
I
C
= 100
μ
A, I
CE
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0, T
A
= 100
°
C
60
6.0
V
V
nA
μ
A
100
10
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
1.0%
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 50 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1.0 MHz
V
EB
= 0.5 V, I
C
= 0,
f = 1.0 MHz
250
MHz
C
obo
Output Capacitance
25
pF
C
ibo
Input Capacitance
100
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
on
Turn-on Time
t
d
Delay Time
t
r
Rise Time
t
off
Turn-off Time
t
s
Storage Time
t
f
Fall Time
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
=100mA,V
CE
=1.0V,T
A
=-55
°
C
I
C
= 300 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
=500mA,V
CE
=1.0V,T
A
=-55
°
C
I
C
= 800 mA, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 30 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 800 mA, I
B
= 80 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
I
C
= 300 mA, I
B
= 30 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 800 mA, I
B
= 80 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
30
60
30
40
35
20
20
25
180
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.25
0.26
0.4
0.52
0.8
0.95
0.76
0.86
1.1
1.2
1.5
1.7
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
NPN Transistor
(continued)
V
CC
= 30 V, V
BE
= 3.8 V,
I
C
= 500 mA, I
B1
= 50 mA
22
10
12
250
235
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30 V, I
C
= 500mA
I
B1
= I
B2
= 50 mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW56 PNP General Purpose Amplifier
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon)
MPSW56 One Watt Amplifier Transistors
MPT2N18 N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
MPT2N20 SPST, 150mA PC Mount Pushbutton
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW3725_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW42 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW42_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor
MPSW42G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW42RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*