參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW3725
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Transistor
中文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： MPSW3725
M
NPN Transistor
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
Fall Time vs. Turn On
and Turn Off Base Currents
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
I - TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
V = 30V
B
I = 500 mA
7 ns
6 ns
t f
10 ns
Fall Time vs. Turn On
and Turn Off Base Currents
0
100
200
300
0
100
200
300
I - TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
V = 30V
B
I = 800 mA
15 ns
20 ns
tf
Fall Time vs. Turn On
and Turn Off Base Currents
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
I - TURN ON BASE CURRENT (mA)
I
V = 30V
B
I = 100 mA
30 ns
15 ns
t f
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MPSW42 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MPSW42G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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