型號: | MPSW3725 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | NPN Transistor |
中文描述: | 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大小: | 67K |
代理商: | MPSW3725 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPSW56 | One Watt Amplifier Transistors(PNP Silicon) |
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MPT2N18 | N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V |
MPT2N20 | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSW3725_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
MPSW42G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW42RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |