- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359216 > MRF1550FNT1 (飛思卡爾半導體(中國)有限公司) RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF1550FNT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側 |
| 文件頁數(shù)： | 2/13頁 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | MRF1550FNT1 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 60 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 10 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
0.5
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 12.5 Vdc, I
D
= 800
μ
A)
V
GS(th)
1
—
3
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 5 Vdc, I
D
= 1.2 A)
R
DS(on)
—
—
0.5
Ω
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 4.0 Adc)
V
DS(on)
—
—
1
Vdc
Dynamic Characteristics
Input Capacitance (Includes Input Matching Capacitance)
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
iss
—
—
500
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
oss
—
—
250
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 12.5 Vdc, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
rss
—
—
35
pF
RF Characteristics
(In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 12.5 Vdc, P
out
= 50 Watts, I
DQ
= 500 mA)
f = 175 MHz
G
ps
—
14.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 12.5 Vdc, P
out
= 50 Watts, I
DQ
= 500 mA)
f = 175 MHz
η
—
55
—
%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1570FT1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570NT1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF18030BLR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF18090BR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF21120R6 | RF Power Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1550FT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF1550N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1550NT1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS FET HI PWR TO272FN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF1550NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1550T | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。