參數(shù)資料
型號： MRF1550FNT1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數(shù)： 6/13頁
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代理商： MRF1550FNT1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
Z
in
= Complex conjugate of source
impedance.
Z
OL
* = Complex conjugate of the load
impedance at given output power,
voltage, frequency, and
η
D
> 50 %.
f
MHz
Z
in
Ω
Z
OL
*
Ω
135
4.1 + j0.5
1.0 + j0.6
V
DD
= 12.5 V, I
DQ
= 500 mA, P
out
= 50 W
155
4.2 + j1.7
1.2 + j.09
175
3.7 + j2.3
0.7 + j1.1
f = 135 MHz
f = 175 MHz
Z
OL
*
Z
o
= 10
Ω
Z
in
f = 135 MHz
f = 175 MHz
Figure 11. Series Equivalent Input and Output Impedance
Zin
ZOL*
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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