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參數(shù)資料
| 型號： | MRF1550FNT1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 299K |
| 代理商： | MRF1550FNT1 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
20
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
50
80
30
60
40
30
10
175 MHz
155 MHz
Figure 4. Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
11
10
14
Figure 5. Drain Efficiency versus Output Power
20
G
Figure 6. Output Power versus Biasing Current
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 7. Drain Efficiency versus
Biasing Current
70
I
DQ
, BIASING CURRENT (mA)
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Drain Efficiency versus Supply Voltage
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
12
11
40
60
60
400
70
600
1000
80
55
65
12
16
200
50
13
P
200
1000
400
600
P
15
10
10
11
30
10
80
30
40
60
50
50
70
135 MHz
175 MHz
155 MHz
155 MHz
175 MHz
135 MHz
155 MHz
175 MHz
135 MHz
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 35 dBm
I
DQ
= 500 mA
P
in
= 35 dBm
V
DD
= 12.5 Vdc
P
in
= 35 dBm
V
DD
= 12.5 Vdc
40
60
70
50
80
15
40
60
70
50
80
70
V
DD
= 12.5 Vdc
800
60
70
800
40
14
12
13
80
90
15
13
14
175 MHz
155 MHz
135 MHz
135 MHz
1200
1200
I
DQ
= 500 mA
P
in
= 35 dBm
155 MHz
175 MHz
135 MHz
,
,
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1570FT1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1570NT1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF18030BLR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF1550FT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF1550N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1550NT1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS FET HI PWR TO272FN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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