參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P18190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： MRF6P18190HR6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P18190HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
1800
1840
1880
3.70 + j2.49
3.45 + j4.12
3.55 + j3.29
3.70 + j1.71
3.40 + j2.75
3.19 + j3.88
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 2000 mA, P
out
= 44 W Avg.
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z
load
f = 1800 MHz
Z
source
f = 1800 MHz
f = 1880 MHz
f = 1880 MHz
Z
o
= 5
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P21190HR6 RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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