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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6P18190HR6 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MRF6P18190HR6 |
MRF6P18190HR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF6P21190HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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