參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 15/24頁(yè)
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代理商： MRF6P3300HR3
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL TWO-TONE BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 32. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing @ 470 MHz
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements
f1 = 470 MHz, f2 = 470 MHz + Tone Spacing
5th Order
3rd Order
10
20
40
50
1
100
I
30
Figure 33. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing @ 560 MHz
10
60
0
0.01
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, f = 560 MHz
5th Order
3rd Order
10
20
40
50
1
100
I
30
0.1
Figure 34. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing @ 660 MHz
10
60
0
0.01
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, f = 660 MHz
5th Order
3rd Order
10
20
40
50
1
100
I
30
0.1
Figure 35. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing @ 760 MHz
10
60
0
0.01
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, f = 760 MHz
5th Order
3rd Order
10
20
40
50
1
100
I
30
0.1
Figure 36. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing @ 860 MHz
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 270 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
f1 = 860 MHz Tone Spacing, f2 = 860 MHz
5th Order
3rd Order
10
20
40
50
1
100
I
30
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PDF描述
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