參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 17/24頁
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代理商： MRF6P3300HR3
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
17
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CW BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 41. CW Power Gain versus
Output Power
16
26
5
f = 560 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
24
20
100
500
G
p
,
22
18
10
660 MHz
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
760 MHz
860 MHz
470 MHz
η
D
,
D
Figure 42. CW Drain Efficiency versus
Output Power
0
70
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
60
40
30
100
500
50
20
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
470 MHz
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PDF描述
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