參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 20/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR3
20
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL PAL B/G BROADBAND CHARACTERISTICS
P
Figure 52. Peak Sync, Power Gain and Drain
Efficiency versus Frequency
15
245
f, FREQUENCY (MHz)
50
280
40
20
275
270
400
η
D
,
p
,
G
ps
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1500 mA
Sync Compression
Input = 33%, Output = 27%
900
45
30
265
η
D
500
600
700
800
35
25
260
255
250
Peak Sync
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PDF描述
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