參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 16/24頁
文件大?。?/td> 879K
代理商： MRF6P3300HR3
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL DVBT OFDM BROADBAND CHARACTERISTICS
A
Figure 37. Single-Carrier OFDM Broadband
Performance @ 60 Watts Avg.
18
58
f, FREQUENCY (MHz)
30
52
24
20
53
54
57
400
56
η
D
,
p
,
G
ps
ACPR
28
900
26
22
55
η
D
500
600
700
800
Figure 38. Single-Carrier DVBT OFDM Power
Gain versus Output Power
18
24
3
f = 560 MHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
23
21
20
100
200
G
p
,
22
19
10
660 MHz
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
760 MHz
860 MHz
η
D
,
D
Figure 39. Single-Carrier DVBT OFDM Drain
Efficiency versus Output Power
5
45
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
30
25
100
200
35
20
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
15
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
A
Figure 40. Single-Carrier DVBT OFDM ACPR
versus Output Power
65
45
3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
100
200
55
10
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
60
f = 860 MHz
560 MHz
760 MHz
660 MHz
V
DD
= 32 Vdc, P
out
= 60 W (Avg.)
I
DQ
= 1600 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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