參數(shù)資料
型號： MRF6S19060NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 622K
代理商： MRF6S19060NBR1
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S19060NR1(NBR1) Test Circuit Schematic
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.225
″
x 0.083
″
Microstrip
0.325
″
x 0.500
″
Microstrip
0.450
″
x 0.083
″
Microstrip
0.300
″
x 0.245
″
Microstrip
0.195
″
x 0.083
″
Microstrip
1.150
″
x 0.070
″
Microstrip
1.150
″
x 0.083
″
Microstrip
Arlon AD250, 0.030
″
,
ε
r
= 2.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7, Z8
Z9
Z10
0.250
″
x 0.083
″
Microstrip
0.750
″
x 0.083
″
Microstrip
0.375
″
x 0.425
″
Microstrip
0.370
″
x 0.083
″
Microstrip
0.365
″
x 1.000
″
Microstrip
0.650
″
x 0.080
″
Microstrip
0.115
″
x 1.000
″
Microstrip
0.240
″
x 1.000
″
Microstrip
0.310
″
x 0.315
″
Microstrip
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C6
C1
C2
C3
C4
C5
R1
Z1
Z2
Z3
Z4
C7
Z9
C8
Z10
Z8
Z5
R2
Z6
R3
Z7
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z17
Z16
V
SUPPLY
C9
C10
C11
Table 6. MRF6S19060NR1(NBR1) Test Circuit Component Designations and Values
Part
C1
100 nF Chip Capacitor
C2, C3, C7, C8, C9
6.8 pF Chip Capacitors
C4, C5, C6, C10, C11
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors
R1
1 k
Chip Resistor
R2
10 k Chip Resistor
R3
10
Chip Resistor
Description
Part Number
Manufacturer
Kemet
ATC
Murata
CDR33BX104AKWS
600B6R8BT250XT
GRM55DR61H106KA88L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S20010GNR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S19060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19060NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 22W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 WCDMA 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19100HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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