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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S19060NBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | MRF6S19060NBR1 |
MRF6S19060NR1 MRF6S19060NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
I
30
10
14
22
26
2000
1900
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 12 Watts Avg.
1990
1960
1950
1940
1930
1920
1910
16.6
60
27
26.5
26
25.5
25
36
42
54
η
D
,
E
η
D
16.5
16.4
16.3
16.2
16.1
16
15.9
15.8
15.7
1970 1980
48
30
18
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 12 W (Avg.)
I
DQ
= 610 mA, 2Carrier NCDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
G
p
,
I
I
30
10
14
22
26
2000
1900
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 24 Watts Avg.
1990
1960
1950
1940
1930
1920
1910
16.2
45
38.5
38
37.5
37
36.5
25
30
40
η
D
,
E
η
D
16.1
16
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
1970 1980
35
20
18
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 24 W (Avg.)
I
DQ
= 610 mA, 2Carrier NCDMA
2.5 MHz Carrier Spacing, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10
12
18
1
I
DQ
= 915 mA
763 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
200
G
p
,
17
16
15
13
610 mA
458 mA
305 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
1
10
20
30
40
200
60
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
I
DQ
= 305 mA
915 mA
763 mA
458 mA
610 mA
15.2
14
100
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25
MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25
MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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