參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21100HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 434K
代理商： MRF6S21100HR3
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S21100HR3(SR3) Test Circuit Schematic
C3
C1
R1
V
BIAS
V
SUPPLY
C14
C12
C11
C13
C8
C6
RF
OUTPUT
RF
INPUT
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
Z7
Z9
Z10
Z11
Z12
+
+
+
+
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
PCB
0.320
″
x 0.880
″
Microstrip
0.120
″
x 0.820
″
Microstrip
0.035
″
x 0.320
″
Microstrip
0.335
″
x 0.200
″
Microstrip
0.650
″
x 0.084
″
Microstrip
Arlon GX-0300-55-22, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
Z1, Z12
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
1.250
″
x 0.084
″
Microstrip
1.070
″
x 0.084
″
Microstrip
0.330
″
x 0.800
″
Microstrip
0.093
″
x 0.800
″
Microstrip
1.255
″
x 0.040
″
Microstrip
0.160
″
x 0.880
″
Microstrip
DUT
C5
C4
C2
+
C10
+
C9
+
C7
B1
R2
Table 5. MRF6S21100HR3(SR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
B1
Ferrite Bead
C1
1.0
μ
F, 50 V Tantalum Capacitor
C2
10
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitor
C3
1000 pF 100B Chip Capacitor
C4, C13
0.1
μ
F 100B Chip Capacitors
C5
5.1 pF Chip Capacitor
C6, C7
15 pF Chip Capacitors
C8
6.8 pF Chip Capacitors
C9, C10, C11, C12
22
μ
F, 35 V Tantalum Capacitors
C14
100
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitor
R1
1.0 k , 1/8 W Chip Resistor
R2
10 , 1/8 W Chip Resistor
Description
Part Number
Manufacturer
Fair-Rite
Kemet
Panasonic
ATC
Kemet
ATC
ATC
ATC
Kemet
Vishay/Sprague
2743019447
T491C105M050
EEV-HB1H100P
100B102JCA500X
CDR33BX104AKWS
100B5R1JCA500X
100B150JCA500X
100B6R8JCA500X
T491X226K035AS4394
515D107M050BB6A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF6S21100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF6S21100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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