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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21100HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | MRF6S21100HR3 |
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2200
15
16.2
2080
44
28
IRL
G
ps
ACPRL
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
Gp
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
I
I
I
30
η
D
,
E
16
27
15.8
36
15.6
38
15.4
40
15.2
42
2100
2120
2140
2160
2180
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 23 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA
2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing
η
D
2200
14.4
15.6
2080
30
44
IRL
G
ps
ACPRU
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
Gp
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
I
I
I
30
η
D
,
E
15.4
42
15.2
40
15
24
14.8
26
14.6
28
2100
2120
2140
2160
2180
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 55 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
IM3L
500
13.5
17.5
1
I
DQ
= 1450 mA
1200 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
450 mA
700 mA
950 mA
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
100
10
100
55
20
1
I
DQ
= 450 mA
700 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
950 mA
1450 mA
1200 mA
25
30
35
40
45
50
10
I
I
IM3U
IM3L
ACPRU
ACPRL
IM3U
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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