參數(shù)資料
型號: MRF6S21100HR3
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù): 6/12頁
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代理商: MRF6S21100HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
100
60
20
0.1
3rd Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 100 W (PEP), I
DQ
= 950 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 2140 MHz
5th Order
7th Order
25
30
35
40
45
50
55
10
1
42
44
56
28
Actual
P1dB = 50.9 dBm (123 W)
Ideal
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulse CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 2140 MHz
P3dB = 51.5 dBm (141 W)
54
52
50
48
46
40
38
36
30
32
34
100
0
50
0.4
60
10
G
ps
ACPR
IM3
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
,p
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2 x WCDMA, 10 MHz
@ 3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
I
40
20
30
30
20
40
10
50
10
1
200
6
18
1
0
60
G
ps
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 950 mA
f = 2140 MHz
16
50
14
40
12
30
10
20
8
10
10
100
180
12
17
0
V
DD
= 12 V
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Gp
I
DQ
= 950 mA, f = 2140 MHz
16 V
20 V
24 V
28 V
32 V
16
15
14
13
20
40
60
80
100
120
140
160
η
D
,
η
D
η
D
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PDF描述
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S21100HS 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF6S21100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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MRF6S21100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR