參數(shù)資料
型號： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 483K
代理商： MRF6S9130HR3
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications
with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier
applications.
Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz: V
DD
= 28 Volts,
I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 Watts Avg., Full Frequency Band, IS-95 CDMA
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth =
1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain — 19.2 dB
Drain Efficiency — 30.5%
ACPR @ 750 kHz Offset — -48.1 dBc in 30 kHz Bandwidth
GSM Application
Typical GSM Performance: V
DD
= 28 Volts, I
DQ
= 950 mA, P
out
=
130 Watts, Full Frequency Band (921-960 MHz)
Power Gain — 18 dB
Drain Efficiency — 63%
GSM EDGE Application
Typical GSM EDGE Performance: V
DD
= 28 Volts, I
DQ
= 950 mA,
P
out
= 56 Watts Avg., Full Frequency Band (921-960 MHz)
Power Gain — 18.5 dB
Drain Efficiency — 44%
Spectral Regrowth @ 400 kHz Offset = -63 dBc
Spectral Regrowth @ 600 kHz Offset = -75 dBc
EVM — 1.5% rms
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 880 MHz, 130 Watts CW
Output Power
Features
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 32 V
DD
Operation
Integrated ESD Protection
Lower Thermal Resistance Package
Low Gold Plating Thickness on Leads, 40
μ
″
Nominal.
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
-0.5, +68
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
-0.5, +12
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
389
2.2
W
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
- 65 to +150
°
C
Case Operating Temperature
T
C
150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
Document Number: MRF6S9130H
Rev. 4, 5/2006
Freescale Semiconductor
Technical Data
MRF6S9130HR3
MRF6S9130HSR3
880 MHz, 27 W AVG., 28 V
SINGLE N-CDMA
LATERAL N-CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465A-06, STYLE 1
NI-780S
MRF6S9130HSR3
CASE 465-06, STYLE 1
NI-780
MRF6S9130HR3
Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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