參數(shù)資料
型號： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 483K
代理商： MRF6S9130HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
9
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
M
2
)
90
110
130
150
170
190
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
100
120
140
160
180
200
N-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±
750 kHz Offset. ALT1 Measured in 30 kHz
Bandwidth @
±
1.98
M
Hz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
P
....
. .
..
.
.
.
.
. ...
...
........
......
..
.......
......
.....
. ......
.......
....
......
. .
. ..
...
.....
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.....
...
.............
.
.
.
..
.......
..
.
.
.
.
.
.
..
....
.
....
.
ACPR in 30 kHz
Integrated BW
......
.
60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7
2.2
1.5
0
0.7
1.5
2.2
2.9
3.6
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
+ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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