參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
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代理商： MRF6S9130HR3
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
850
865
880
1.50 - j0.09
1.55 + j0.31
1.52 + j0.11
0.89 - j1.18
0.87 - j1.03
0.85 - j0.89
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg.
Z
o
= 2
Ω
Z
load
f = 850 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 910 MHz
Z
source
895
910
1.68 + j0.71
1.60 + j0.51
0.83 - j0.75
0.84 - j0.64
f = 850 MHz
f = 910 MHz
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PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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