參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 483K
代理商： MRF6S9130HR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
25
5
10
15
20
30
45
5
15
25
35
55
I
A
G
p
,
G
p
,
I
A
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 27 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
54
34
30
26
44
48
50
920
840
IRL
G
ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 54 Watts Avg.
910
900
890
880
870
860
850
20
19.5
44
47
41
35
34
38
42
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
15
20
1
I
DQ
= 1400 mA
1100 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19
18
17
10
400
20
1
I
DQ
= 500 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
30
40
50
60
10
η
D
,
E
η
D
η
D
,
E
G
p
,
I
I
18.5
17.5
16.5
15.5
15
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 27 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA, NCDMA IS95 Pilot, Sync,
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
18.5
17.5
16.5
15.5
15
16
950 mA
500 mA
10
700 mA
1400 mA
16
17
18
19
52
46
28
32
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 54 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA, NCDMA IS95 Pilot, Sync
Paging, Traffic Codes 8 Through 13
19
18
17
16
44
38
36
40
η
D
ACPR
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
700 mA
400
950 mA
1100 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 878.75 MHz, f2 = 881.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
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PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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