參數(shù)資料
型號： MRF9045M
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： 該射頻亞微米MOSFET的線射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： MRF9045M
3
MRF9045M MRF9045MR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
Gps
17
18.5
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
38
41
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
9
15
—
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
Gps
—
18.5
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
—
41
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 28 Vdc, Pout = 45 W PEP, IDQ = 350 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
—
13
—
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9060MBR1 The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs
MRF9060MR1 The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs
MRF9080LSR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9080SR3 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor
MRF9080R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9045MBR1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045MR1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MRF9045NBR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF9045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 45W 1GHZ RF LDMOS TO270N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9045NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF9045 Series 945 MHz 45 W 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET
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