參數(shù)資料
型號(hào)： MSP430F249MPMEP
廠商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64
封裝： GREEN, PLASTIC, QFP-64
文件頁(yè)數(shù)： 55/81頁(yè)
文件大?。?/td> 1133K
代理商： MSP430F249MPMEP
MSP430F249-EP
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
2008
59
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature (unless otherwise noted) (continued)
12-bit ADC, timing parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
fADC12CLK
For specified performance of ADC12
linearity parameters
2.2V/3 V
0.45
5
6.3
MHz
fADC12OSC
Internal ADC12
oscillator
ADC12DIV=0, fADC12CLK=fADC12OSC
2.2 V/ 3 V
3.7
5
6.3
MHz
t
Conversion time
CVREF+ ≥ 5 μF, Internal oscillator,
fADC12OSC = 3.7 MHz to 6.3 MHz
2.2 V/ 3 V
2.06
3.51
s
tCONVERT
Conversion time
External fADC12CLK from ACLK, MCLK, or
SMCLK: ADC12SSEL ≠ 0
13 × ADC12DIV × 1
/fADC12CLK
μs
tADC12ON
Turn-on settling
time of the ADC
See Note 1
100
ns
tS
Sampling time
RS = 400 Ω, RI = 1000 Ω, CI = 30 pF
3 V
1220
ns
tSample
Sampling time
RS = 400 Ω, RI = 1000 Ω, CI = 30 pF
τ = [RS + RI] × CI;(see Note 2)
2.2 V
1400
ns
Limits verified by design
NOTES: 1. The condition is that the error in a conversion started after tADC12ON is less than ±0.5 LSB. The reference and input signal are already
settled.
2. Approximately ten Tau (τ) are needed to get an error of less than ±0.5 LSB:
tSample = ln(2n+1) x (RS + RI) x CI+ 800 ns where n = ADC resolution = 12, RS = external source resistance.
12-bit ADC, linearity parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
E
Integral linearity error
1.4 V ≤ (VeREF+ VREF/VeREF) min ≤ 1.6 V
2 2 V/3 V
±1.7
LSB
EI
Integral linearity error
1.6 V < (VeREF+ VREF/VeREF) min ≤ [VAVCC]
2.2 V/3 V
±1.7
LSB
ED
Differential linearity
error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 μF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1
LSB
EO
Offset error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
Internal impedance of source RS < 100 Ω,
CVREF+ = 10 μF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±4
LSB
EG
Gain error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 μF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1.1
±2
LSB
ET
Total unadjusted
error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 μF (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±5
LSB
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PDF描述
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