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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46V32M16BN-5BLIT |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 56/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2855K |
| 代理商： | MT46V32M16BN-5BLIT |
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512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
09005aef80a1d9e7
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. H 7/04 EN
6
2000 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 3: Functional Block Diagram 128 Meg x 4
13
RAS#
CAS#
ROW-
ADDRESS
MUX
CK
CS#
WE#
CK#
CONTROL
LOGIC
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
MODE REGISTERS
12
COMMAND
DECODE
A0-A12,
BA0, BA1
CKE
13
ADDRESS
REGISTER
15
2048
(x8)
16384
I/O GATING
DM MASK LOGIC
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(8,192 x 2,048 x 8)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
&
DECODER
8192
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
15
BANK1
BANK2
BANK3
13
11
1
2
REFRESH
COUNTER
4
1
INPUT
REGISTERS
1
RCVRS
1
8
2
8
clk
out
DATA
DQS
MASK
DATA
CK
COL0
clk
in
DRVRS
DLL
MUX
DQS
GENERATOR
4
8
DQ0–
DQ3
DQS
DM
1
READ
LATCH
WRITE
FIFO
&
DRIVERS
COL0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V32M81AZ4-6T:G | 32M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| MT47H128M8HV-187ELIT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT47H128M8HQ-187ELAT:E | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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